ក្រុមហ៊ុន Samsung បានចាប់ផ្តើមផលិតប្រព័ន្ធដំណើរការដ៏ធំដោយប្រើដំណើរការ 14-nm FinFET នាពេលថ្មីៗនេះ ប៉ុន្តែវាកំពុងរៀបចំសម្រាប់អនាគតរួចហើយ ហើយចាប់ផ្តើមពិសោធន៍ជាមួយបច្ចេកវិទ្យា 10-nm ហើយដូចដែលវានិយាយដោយខ្លួនឯង សូម្បីតែបច្ចេកវិទ្យា 5-nm ក៏មិនមែនជាបញ្ហាធំដែរ។ សម្រាប់វា។ ក្រុមហ៊ុនបានបង្ហាញការពិតគួរឱ្យចាប់អារម្មណ៍ទាំងនេះនៅក្នុងសន្និសិទ ISSCC 2015 ដែលជាកន្លែងដែលវាបង្ហាញពីគំរូនៃដំណើរការដែលផលិតដោយប្រើបច្ចេកវិទ្យា 10-nm ដែលវានឹងប្រើប្រាស់ក្នុងរយៈពេលប៉ុន្មានឆ្នាំខាងមុខនេះ។ ក្នុងពេលជាមួយគ្នានេះ លោក Kinam Kim បានបញ្ជាក់ថា Samsung នឹងផលិត processors នាពេលអនាគត ដោយប្រើដំណើរការដែលជិតដល់ច្បាប់ Moore រួចហើយ។
ប៉ុន្តែវាហាក់បីដូចជាគ្មានអ្វីដែលរារាំងក្រុមហ៊ុន Samsung មិនឱ្យហួសពីដែនកំណត់ដែលកំណត់ដោយ Gordon Moore និងធ្វើឱ្យបន្ទះឈីបតូចជាង និងសន្សំសំចៃជាងនេះទេ។ ក្រុមហ៊ុនបានណែនាំថា ខ្លួនអាចនឹងចាប់ផ្តើមផលិត processors ដោយប្រើដំណើរការផលិត 3,25-nm នាពេលអនាគត។ ប៉ុន្តែសំណួរនៅតែមានថាតើសម្ភារៈអ្វីដែលវានឹងប្រើចាប់តាំងពី Intel បានប្រកាសថាវាមិនអាចប្រើស៊ីលីកុនក្រោមដែនកំណត់ 7-nm ទៀតទេ។ នោះហើយជាមូលហេតុដែលគាត់គ្រោងនឹងផលិតបន្ទះសៀគ្វីដោយមានជំនួយពី Indium-Gallium-Arsenide ដែលស្គាល់ច្បាស់ដោយអក្សរកាត់របស់វា InGaAs ។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ វានៅតែអាចប្រើស៊ីលីកូនជាមួយនឹងដំណើរការ 14-nm FinFET បច្ចុប្បន្ន។ ក្រោយមកទៀតត្រូវបានប្រើនៅលើដៃមួយក្នុងការផលិតបន្ទះសៀគ្វីមុន។ Galaxy S6 ហើយនឹងប្រើវាផងដែរដើម្បីផលិតបន្ទះសៀគ្វីមុន។ iPhone 6s និង Qualcomm ។ គាត់គ្រោងនឹងប្រើប្រាស់ Processor ដែលផលិតដោយប្រើដំណើរការ 10-nm នៅក្នុងផលិតផល IoT ដោយសារតែការប្រើប្រាស់បន្ទះឈីបទាប។ ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយ ឧបករណ៍ទាំងនេះនឹងបង្ហាញនៅវេននៃឆ្នាំ 2016 និង 2017។
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", zoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", zoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*ប្រភព៖ Nikkeibp.co.jp; ZDNet
