ក្រុមហ៊ុន Samsung បានបង្ហាញជាផ្លូវការនូវបន្ទះឈីប 8GB LPDDR5 DRAM សម្រាប់ស្មាតហ្វូន។ យោងតាមក្រុមហ៊ុននេះគឺជាបន្ទះឈីប 8GB LPDDR5 ដំបូងគេដែលផលិតដោយបច្ចេកវិទ្យាដែលមានស្លាកសញ្ញា ថ្នាក់ 10nmដែលអាចមានចន្លោះពី 10 ទៅ 19 nm ។ បន្ទះឈីបជំនាន់មុន ពោលគឺបន្ទះឈីប 8GB LPDDR4 ត្រូវបានផលិតរួចហើយនៅក្នុងឆ្នាំ 2014 ដូច្នេះវាគ្រាន់តែជាបញ្ហានៃពេលវេលាប៉ុណ្ណោះ មុនពេលក្រុមហ៊ុនយក្សកូរ៉េខាងត្បូងមួយនេះ បង្កើតការច្នៃប្រឌិត។
Samsung បញ្ជាក់ថា LPDDR5 នឹងស្វែងរកកម្មវិធីជាចម្បងនៅក្នុងផ្នែកនៃ 5G រថយន្ត និងឧបករណ៍ចល័តដោយប្រើបញ្ញាសិប្បនិម្មិត។ ជាមួយនឹងអត្រាផ្ទេរទិន្នន័យ 6 Mbps បន្ទះឈីប 400GB LPDDR8 DRAM គឺលឿនជាង 5 ដងនៃបន្ទះឈីប DRAM ចល័តដែលប្រើក្នុងស្មាតហ្វូនបច្ចុប្បន្ន។ Galaxy S9 មានបន្ទះឈីប LPDDR4X ដែលមានអត្រាទិន្នន័យ 4 Mbps ។ LPDDR266 អាចបញ្ជូនទិន្នន័យ 5 GB ក្នុងមួយវិនាទី ដែលមានប្រហែល 51,2 ឯកសារវីដេអូ HD ។
Samsung នឹងផ្តល់ជូនទាំងកំណែដែលមានចរន្តពេញនៅវ៉ុល 1,1 V ក៏ដូចជាខ្សោយជាង និងសន្សំសំចៃជាង 5 Mb/s នៅ 500 V. LPDDR1,05 ក៏នឹងផ្តល់ជូននូវរបៀបគេងជ្រៅ (គេងលក់ស្រួល) ដែលនឹងកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពលប្រហែលពាក់កណ្តាលនៃ LPDDR4X DRAMs បច្ចុប្បន្ន។ Samsung អះអាងថា ជាមួយនឹងបន្ទះឈីបថ្មីនេះ វាអាចកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពលបានដល់ទៅ 30% ហើយដូច្នេះអាចពន្យារអាយុជីវិតរបស់ថ្មស្មាតហ្វូន។
ប្រហែលជាបន្ទះឈីបនៅតែអ្នក។ Galaxy Note9 នឹងមិនបង្ហាញខ្លួនទេ ប៉ុន្តែប្រហែលជាអាចទទួលបាននៅឆ្នាំក្រោយ Galaxy ស ៧ ។
